然而，局多举保一些CuAu电催化剂太容易解吸*CO，从而倾向于生成甲烷或一氧化碳，而不是多碳产物。
红星是该研究代表性的10nm沟道长度弹道InSeFET的总电阻，措并虚线是使用Landauer公式计算的InSeFETs的理论极限。障迎这定义了硅基芯片在缩放过程结束时的最终集成密度和功耗。
曾获省级优秀毕业生、峰度研究生校长奖、研究生国家奖学金等荣誉。冬电粉红色虚线和黑色虚线分别表示单层2DFET和硅FinFET的理论计算性能。力供（c,d）透射电子显微镜图像和电子能量损失光谱图显示了具有双栅极结构的InSeFET的横截面。
（h）两种类型的弹道装置在VDS=0.1V时的传输特性，局多举保包括Y-InSe通道（紫色曲线）、纯InSe通道（橙色曲线）以及与1-nmY通道（灰色曲线）的比较。（f）与其他低于50纳米的短沟道2DFET相比，措并该研究的弹道2DInSeFET的SS与ID。
近年来，障迎具有原子级厚度的二维（2D）层状半导体已被探索为潜在的沟道材料，以支持进一步的小型化和集成电子。
1994年获首批国家杰出青年科学基金资助，峰度1999年入选首届教育部长江学者奖励计划特聘教授。冬电（f）计算了三层InSe和钇掺杂诱导的相变接触区的能带结构（其中Y原子被替代掺杂在InSe的顶层）。
力供（c,d）VDD=0.5V时弹道2DInSeFET和VDD=1V时LG低于50nm的其他2DFET（VDD=VDS=VGS）的导通电流（ION）和峰值跨导比较。（b）五个典型弹道2DInSeFET的跨导比较，局多举保一个10nm节点硅FinFET（英特尔，黑色实线）和一个InGaAsFinFET。
长期从事碳基电子学领域的研究，措并做出一系列基础性和开拓性贡献。从事二维电子器件的极限性能的探索与器件物理研究，障迎致力于开发超越硅基极限的后摩尔新型电子技术。